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存取時間：
儲存裝置的時間間隔特徵，可以測量與裝置通訊的時間。傳統硬碟的存取時間是由加速時間、搜尋時間、轉動延遲與傳輸時間的總和所決定。
ABL (全位元線)：
ABL (全位元線) 記憶體是由 SanDisk 在 ISSCC 2008
推出，和「傳統」記憶體相比，這種記憶體的速度大幅提升。在實際運作時，傳統記憶體會在所選的字元線 (WL)
中使用相隔的單元，但是此類設計能同時運用所有單位。這種全位元線 (ABL) 架構與傳統晶片相比，至少能提升 100%
的效能。其他技術也將效能帶往更高的境界。
AFM：
SanDisk Adaptive Flash Management (適應性快閃記憶體管理，AFM) 技術明顯提升 NAND 功能。
AFM 採用 ExtremeFFS™ 資料頁式快閃管理技術、全位元線 (ABL)
架構以及耐久性衡量標準等技術。
埃 (Å)：
線性測量的單位，等於百億分之一公尺。人類頭髮的直徑約為 750,000 Å。
陣列：
在微影製程中，晶粒的重複形態，例如記憶單元陣列。
ATA 8 標準：
ATA-8 標準是用來支援資料集管理命令。此命令為推動 TRIM 功能的關鍵
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毀損區塊：
製造時有瑕疵或一段時間後無法使用的區塊。
毀損區塊管理：
標記並隔離損毀區塊的方法，讓系統無法使用損毀區塊。毀損區塊管理會將損毀區塊中的資料，儲存到備用區塊中。
位元：
資訊的單一基本單位。
區塊：
訊息的實體部分，由一連串微小 (區塊尺寸) 的位元組或位元組成，目的為傳輸訊息。儲存資料至 9
軌磁帶時，系統幾乎會統一採用在區塊中分隔/處理資料的方式，藉此輪換媒體，例如軟碟、硬碟、光碟與 NAND 快閃記憶體。在 NAND
快閃記憶體中，區塊定義了最小的清除單位。在硬碟中，區塊是磁軌與磁區的交叉點。區塊位址是以磁柱、磁頭與磁區 (CHS)
的編號來表示。
硼：
原子序數 5 的化學元素，用於矽的 P 通道摻雜。
位元組：
由 8 個位元組成的資料單位。
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通道：
在 N 型或 P 型半導體材料之間的 MOSFET 中的電流導體。
電荷攫取記憶電晶體：
浮動閘中的儲存電荷 (電子)。
電路：
電子元素與元件的結合，具有特定功能。
無塵室：
具備界定類別、用於製造產品的密閉區域，限制污染等級並控制濕度、溫度與空氣中的微粒。
CMOS (互補金屬氧化半導體)：
在相同矽基板內結合 P 通道與 N 通道 MOS 電晶體的製程。
晶體：
由重複、立體形態的原子、離子或分子組成的同質固體，組成部分間的距離固定，通常以外部平面為特徵。
磁柱：
硬碟上無需移動磁頭就能存取的所有磁軌。
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資料可靠性
系統或元件在指定情況下，於指定時期中執行所需功能的能力。需要執行特殊測試 (檢定)，才能預測產品生命週期中的效能。
資料保留：
可以從非易失性記憶體確實擷取寫入資料的最久期限。
瑕疵：
晶體中化學或結構不規則，導致理想晶體結構品質降低，或晶圓產生薄膜。
晶粒：
特定功能的積體電路的組合，矽晶圓會印上數百個晶粒。裸晶粒無法封裝。
電介質：
用來描寫非金屬以及非金屬與電子、磁性或電磁領域之互動的絕緣層，包括電子與磁性能源的儲存與消散。電介質的相關假設可以用來說明電子、固態與光學實體中的許多現象。
干擾錯誤：
在讀取或寫入操作期間顛倒位元價值。
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EEPROM (電子可抹除式可程式化唯讀記憶體)：
這是舊版的非易失性記憶體。
封裝：
以電路包裝晶粒的程序，目的在於保護機械與環境。
耐久性：
快閃記憶體在不危及資料可靠性的前提下，可以執行寫入/清除循環的次數。
耐久性衡量標準：
SanDisk 開發出的業界首創衡量標準 (原名為 LDE)，能以簡單、準確的相關數字，說明 SSD 生命週期內可以寫入的資料數量。
此標準規格是由 SanDisk 開發後送至 JEDEC 審核的基準，能讓使用者比較多家廠商 SSD 的資料耐久性。
此衡量標準是根據一般終端使用者活動，提供在 SSD 生命週期內，系統可以執行的資料寫入總數，以兆位元組寫入 (TBW) 單位表示。
採用一般 PC 傳輸大小寫入資料，資料在 SSD 生命週期中的寫入速率都是固定的，並在 TBW 耗盡之後，資料仍可保留至少一年。 依據
SanDisk 內部測試，一般用戶端 PC 每天寫入 4GB 的資料。
EPROM (可抹除式可程式化唯讀記憶體)：
這是舊版的非易失性記憶體。
錯誤偵測/修正碼 (EDC/ECC)
偵測錯誤，然後使用額外位元重建原始資料來修正錯誤，並延長資料保留的時間。
蝕刻：
微製技術，能在製造過程中，以化學方式從晶圓表面移除層次。蝕刻是非常重要的程序，在晶圓製造的諸多步驟中會重複進行蝕刻，目的在於盡量減少瑕疵數量。使用可以抗蝕刻的光罩，就能保護晶圓部分不受蝕刻劑傷害。在某些情況下，光罩就是微影製程打樣程序中使用的光阻。在其他情況中則採用氮化矽，這是更耐用的材料
ExtremeFFS™*(Extreme
快閃檔案系統)
ExtremeFFS™* 技術有潛力提高隨機寫入效能，因此可在使用 Windows XP 或 Windows
7 等作業系統的 PC 中延長 SanDisk(R) SSD 的耐久性。ExtremeFFS
運用的嶄新快閃管理方法是以下列設計元素為基礎：
- 資料頁式演算法：ExtremeFFS
採用資料頁式演算法，實體和邏輯位置間沒有固定的耦合。因此 SanDisk® SSD
可以選擇最方便有效的磁區，自由儲存寫入資料。
- 全面無阻斷架構：NAND
通道能依使用者活動要求獨立運作，當其他通道正在等候並蒐集廢棄項目時，NAND 通道也能讀取一些資料。
*ExtremeFFS 是一種 SanDisk
資料頁式快閃管理演算法，已針對常用作業系統最佳化，有潛力大幅提昇 SSD 隨機寫入速度和效率，藉此提升效能並延長 PC 內 SSD
的耐久性。
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製造廠：
半導體晶圓製造廠。
快閃記憶體：
非易失性半導體記憶體，由 1
個電晶體記憶架構單元組成。其記憶機制是將電荷儲存至閘極電介質中。電晶體上的第二個閘極能儲存資料，同時以電子方式消除記憶體的定義區塊。
浮動閘：
即使沒有連接電源供應器，也能延長電荷的儲存時間。儲存在浮動閘中的電子是由臨界電壓感測。
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閘極：
電極，可以調節金屬氧化半導體 (MOS) 電晶體中的電流。
閘極氧化層：
純粹、無瑕疵、熱能上升的氧化薄層， 在排出與來源之間的 MOSFET 中扮演電介質層的角色。
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磁頭 (又稱存取臂)：
在硬碟的磁盤表面寫入/讀取資料。每個磁頭負責單一磁盤的單邊。
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晶錠：
半導體產業中以矽製成的材料，處理後的晶錠會變成單一晶體矽。接著將其切割磨光，變成晶圓，可以製成微處理器或記憶體裝置等。
每秒輸入/輸出 (IOPS)：
每秒執行操作 (例如讀取或寫入) 的測量數字。固態磁碟存取隨機檔案時的 IOPS 高於傳統硬碟。
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JEDEC (美國電子工程設計發展聯合協會)
領導固態產業標準的開發機構，分別由 295 家公司組成的 50 個 JEDEC
委員會來運作，其成員係由組成機構的公司所指派擔任，人數超過 3000 人。
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延遲：
系統執行指定操作前的延遲。
位準：
定義位元類比值的邏輯方式。1 位元需要 2 個位準。
微影製程：
一種微製技術，用來設計積體電路與微機電系統的樣式。本詞彙是從印刷產業 (文字或插圖)
修改而來，在印刷界，微影製程稱為平版印刷術，代表使用油脂或阿拉伯膠，將平順的表面分隔為接受墨水的親水區，以及拒絕墨水，並成為背景的疏水區。
邏輯區塊位址 (LBA)：
不使用磁柱、磁頭及磁區編號 (CHS) 來指定位址，而是改以線性方式為區塊編號的方法。LBA
通常會取代傳統的區塊位址指定方法，但目前的固態磁碟與硬碟仍舊同時支援兩種方法。
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光罩：
一塊玻璃板或石英板，內含晶圓樣式的攝影影像，能定義單一處理層。光罩暴露在感光層上，遮蓋晶圓表面，藉此從多種製程中曝光/隱藏所選的區域。
平均故障間隔時間 (MTBF)
發生故障的平均間隔時間。
平均故障時間 (MTTF)
第一次發生故障的時間。用於第一次故障通常就無可挽回的系統。
記憶單元：
位元線與字元線的交叉點，能確認資料儲存的位置。
MOSFET (金屬氧化半導體場效電晶體)：
用來增強或轉換電子訊號的裝置， 目前是數位與類比電路中最常見的場效電晶體。MOSFET 由 N 型或 P
型半導體材料的通道組成
微米：
線性測量的單位，等於百萬分之一公尺或 10,000 埃。
摩爾定律：
本定律是根據 1965 年提出的預測而制訂，聲明電晶體的密度每一年半到兩年就會加倍。這項定律促成了積體電路微型化。
多層單元 (MLC)：
單一單元中儲存超過一個位元，例如 D2、D3、x4。
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NAND 快閃記憶體：
非易失性記憶體，能連續存取記憶單元、比 NOR 快閃記憶體更能有效利用矽，因此每 GB 的成本更低、寫入速度比 NOR
快閃記憶體更快，非常適合用於大量資料儲存。
nCache™ 加速技術1：
nCache™ 加速技術是一種大型非易失性寫入快取技術，這是 SanDisk SSD
的獨家功能，可以改善隨機寫入效能，確保增進使用者體驗。 相關研究指出，目前的作業系統大多使用 4k 的存取區塊來存取儲存裝置。
系統發出這些小型寫入命令時，快取會被填滿，而當主機未存取磁碟機，系統閒置時，快取就會清空，不會有資料遺失的風險存在。
若為一般日常使用，使用者看到的寫入效能是 nCache™ (瞬間) 的高效能，並非穩定 (持續) 的 SSD
效能。 依據 IOmeter 4K 隨機寫入測試
非易失性記憶體 (NVM)：
一種記憶體，即使沒有電力仍然可以保存資料。
NOR 快閃記憶體：
非易失性記憶體，能直接存取每個記憶單元，利用矽的效率低於 NAND 快閃記憶體，因此每 GB
的成本更高、隨機存取速度較快，但寫入速度低於 NAND 快閃記憶體，非常適合用於開機碼儲存，
N 型：
半導體材料，具備負電傳導性，以及過量電子。
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單次可程式化 (OTP)
僅能寫入一次的記憶體，而且無法清除，沒有讀取限制。
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資料頁：
NAND 快閃記憶體中的最小寫入單位。
磁盤：
硬碟中使用的旋盤。資料由磁頭寫入磁盤表面底部的上端。
功率等級：
在行動運算應用中，功率預算是最為重要的。 SanDisk i100 磁碟機支援各種功率等級，能夠限制 SSD 效能，從而限制耗電量。
即使在不需要最大效能的時候，也能在功率與效能之間實現最佳彈性，讓 OEM 善加利用眾多的 SSD 優勢。
印刷電路板 (PCB)
由某些特定電介質、低成本絕緣材質組成的板子，能以機械方式支援電子元件，並以電子方式連接電子元件。PCB
使用傳導路徑或痕跡，這是從銅薄板蝕刻後，然後在非傳導的基板上製成薄片。
P 型：
半導體材質，具備正電傳導性，電子不足，通常是摻入硼所製成。
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隨機存取：
在同量時間中沒有特殊順序下，連續存取所有要素的能力。
隨機存取記憶體 (RAM)
易失性記憶體，能以任意的順序從任意的位置讀取/寫入。
可靠性：
在指定時間的特定狀況下，產品執行其特定功能的可能性。
每分鐘轉數 (RPM)：
根據磁碟的每分鐘轉數，測量硬碟速度。
轉動延遲：
硬碟與磁頭下的磁區校準的轉動延遲 (計算為全程轉動板子的一半時間)。
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SATA uSSD™：
嵌入式固態磁碟 (SSD) 的 SATA-IO 標準。 SATA µSSD™ 規格使得傳統 SATA
介面不再需要模組接頭，開發商能夠針對嵌入式儲存應用採用單一晶片 SATA 建置。 SanDisk® iSSD™
整合式儲存裝置係採用該標準。
磁區：
硬碟磁盤上的圓餅狀薄片，包含可以寫入/讀取資料的最低可定址區
搜尋時間：
磁頭到達硬碟上想要的磁軌的時間。
半導體：
具備電子傳導特徵的固體物質，介於導體與絕緣體之間。
矽：
週期表上的元素，用來製造半導體。
單層單元 (SLC)：
單一位元儲存在單一單元中。
切割：
將晶圓切割為個別晶粒的程序
加速時間：
加速硬碟到操作速度的所需時間。
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臨界電壓：
感測浮動閘中的電子，並做為閘極電壓，讓電流流動。
磁軌：
硬碟磁盤表面上的輕薄同心圓，用來協助確認資料的位置。
電晶體：
半導體，做為擴大機或電子控制的開關使用，是電腦、行動電話與其他現代電子裝置中基本電路的基礎單位。電晶體由半導體材料製成，至少有三個接頭能連接外部電路。用於兩個接頭的電壓或電流會透過另一組接頭改變電流。因為受控制的電力可能比控制的電力更強大，因此電晶體會提供強化的訊號。
攫取的電荷：
閘極氧化層中攫取的電荷會組成部分程序，啟用非易失性記憶體。
TRIM：
TRIM 會通知 SSD 未使用的媒體空間，並讓 SSD 持續管理其資源，讓 SSD
終其一生保有最佳效能，因此能大幅提升產品效能。
穿隧：
物理現象，電子穿過絕緣層或兩導體間的斷層。穿隧是 NAND 快閃記憶體寫入與清除作業的基礎。
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易失性記憶體：
一種記憶體，沒有電力時會遺失資料。
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晶圓：
從半導體晶體 (例如矽) 切下的薄片 (平行表面)。矽晶圓是從矽錠製作而來。
平均磨損：
一種技術，能從重複的寫入/清除循環中，將資料平均分散至整個快閃媒體，藉此防止特定區塊損耗，延長快閃記憶體的使用壽命。平均磨損尤其與一般檔案系統
(例如 DOS FAT 檔案系統) 和檔案管理演算法 (重複寫入/清除相同的實體區) 息息相關。
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產量：
晶圓上良好晶粒與 總晶粒數的百分比。